삼성 D램 유출 재판, 실적에 닿는 지점은
검찰은 10나노급 D램 국가핵심기술을 중국 창신메모리로 넘긴 삼성 전직 임직원 10명을 기소했고, 1심에서 전직 연구원에게 징역 7년이 선고됐다. 유출된 18나노 공정이 창신메모리의 D램·HBM 추격 발판이 됐다는 게 검찰 판단이라 메모리 경쟁 구도와 직결된다. 투자자는 개별 형량보다 창신메모리의 양산 확대와 기술보호 규제 흐름을 지켜봐야 한다.
#기술유출
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검찰은 10나노급 D램 국가핵심기술을 중국 창신메모리로 넘긴 삼성 전직 임직원 10명을 기소했고, 1심에서 전직 연구원에게 징역 7년이 선고됐다. 유출된 18나노 공정이 창신메모리의 D램·HBM 추격 발판이 됐다는 게 검찰 판단이라 메모리 경쟁 구도와 직결된다. 투자자는 개별 형량보다 창신메모리의 양산 확대와 기술보호 규제 흐름을 지켜봐야 한다.